????????杨华，男，博士，副研究员，硕士生导师。?

????????2000年本科毕业于清华大学物理系，2004硕士毕业于北京大学物理系凝聚态物理专业；2009年博士毕业于中国科学院半导体研究所微电子与固体电子学专业。现为中国科学院半导体研究所副研究员。?

????????取得的重要科研成果和所获奖励：

????????1、2012年获得省部级奖励一次，《高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术》获得北京市人民政府颁发的北京市科技奖一等奖（技术发明类），第13发明人；2、2013年度中华农业科技奖二等奖，《植物LED光环境精准调控及节能高效生产技术研究与应用》，第12发明人；3、2013年2月，通过二项中科院科技成果鉴定，包括《高效大功率GaN?LED?外延及芯片技术》、《低电压垂直结构?GaN??LED芯片技术》。?

????????主要研究领域或方向：?

????????从事LED芯片工艺、先进封装与新型应用的研发任务，重点研究数字光源LED的封装等工作，建立基础工艺途径及相应测试方法。?